FDU6N25

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FDU6N25

Hersteller:

Paket:

I-PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 8461

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package	I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	UniFET™
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.4A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk