FESB8JTHE3_A/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

FESB8JTHE3_A/I

Hersteller:

Paket:

TO-263AB (D²PAK)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-263AB (D²PAK)
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 8 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	8A
Base Product Number	FESB8