onsemi
Produkt-Nr.:
FFSM1065A
Hersteller:
Paket:
4-PQFN (8x8)
Charge:
-
Beschreibung:
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
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| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Series | - |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
| Mfr | onsemi |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Current - Average Rectified (Io) | 11A |
| Base Product Number | FFSM1065 |