FQA27N25

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FQA27N25

Hersteller:

Paket:

TO-3PN

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	210W (Tc)
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk