FQB27N25TM

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FQB27N25TM

Hersteller:

Paket:

D2PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	131mOhm @ 25.5A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	417W (Tj)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25.5A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	FQB27