FQU1N50TU

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

FQU1N50TU

Hersteller:

Paket:

I-PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9Ohm @ 550mA, 10V
Supplier Device Package	I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube