G050P03T

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G050P03T

Hersteller:

Paket:

TO-220

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6922 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	85A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube