G06N10

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G06N10

Hersteller:

Paket:

TO-252 (DPAK)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	25W
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)