G10P03

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G10P03

Hersteller:

Paket:

8-DFN (3.15x3.05)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	20W
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A
Vgs (Max)	±12V
Package	Tape & Reel (TR)