G2002A

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G2002A

Hersteller:

Paket:

SOT-23-6L

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	G
Power Dissipation (Max)	2.5W (Tc)
Package / Case	SOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)