G33N03D52

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G33N03D52

Hersteller:

Paket:

DFN5*6

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package	DFN5*6
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	29W (Tc)
Package / Case	DFN5*6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)