G5N02L

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

G5N02L

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.25W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)