GAN3R2-100CBEAZ

Nexperia USA Inc.

Produkt-Nr.:

GAN3R2-100CBEAZ

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8-WLCSP (3.5x2.13)

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100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package	8-WLCSP (3.5x2.13)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	394W
Package / Case	8-XFBGA, WLCSP
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A
Vgs (Max)	+6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	GAN3R2