GC11N65M

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

GC11N65M

Hersteller:

Paket:

TO-263

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	768 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)