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GC9986-8JR
Microchip Technology
Produkt-Nr.:
GC9986-8JR
Hersteller:
Paket:
-
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
SI SCHOTTKY NON HERMETIC BEAM LE
Menge:
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 100 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5V |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Lead |
| Capacitance @ Vr, F | 0.15pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Schottky - 1 Bridge |
| Mfr | Microchip Technology |
| Package | Tray |
| Product Status | Active |
| Resistance @ If, F | 15Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Supplier Device Package | - |
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