GD10MPS12H

GeneSiC Semiconductor

Produkt-Nr.:

GD10MPS12H

Hersteller:

Paket:

TO-247-2

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2835

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-247-2
Series	SiC Schottky MPS™
Package / Case	TO-247-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	10A