GD30MPS06J

GeneSiC Semiconductor

Produkt-Nr.:

GD30MPS06J

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TO-263-7

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	735pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-263-7
Series	SiC Schottky MPS™
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	51A
Base Product Number	GD30MPS06