GT011N03D5E

Goford Semiconductor

Produkt-Nr.:

GT011N03D5E

Hersteller:

Paket:

8-DFN (4.9x5.75)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6503 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	89W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	209A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)