GT40QR21(STA1,E,D

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

GT40QR21(STA1,E,D

Hersteller:

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TO-3P(N)

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Beschreibung:

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

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Operating Temperature	175°C (TJ)
Test Condition	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Input Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	600 ns
Switching Energy	-, 290µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 40A
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	230 W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tube
IGBT Type	-
Base Product Number	GT40QR21