GT40WR21,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

GT40WR21,Q

Hersteller:

Paket:

TO-3P(N)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 100

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	175°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Switching Energy	-
Current - Collector (Ic) (Max)	40 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1350 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	5.9V @ 15V, 40A
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	375 W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tray
IGBT Type	-