HAT2199R-EL-E

Renesas Electronics America Inc

Produkt-Nr.:

HAT2199R-EL-E

Hersteller:

Paket:

8-SOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 25000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Package	Bulk