HGT1S12N60C3DS

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

HGT1S12N60C3DS

Hersteller:

Paket:

TO-263AB

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	32 ns
Switching Energy	-
Current - Collector (Ic) (Max)	24 A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-263AB
Current - Collector Pulsed (Icm)	96 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 15A
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge	71 nC
Power - Max	104 W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Bulk
IGBT Type	-