HGT1S3N60A4DS9A

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

HGT1S3N60A4DS9A

Hersteller:

Paket:

D2PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL IGBT

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	390V, 3A, 50Ohm, 15V
Input Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	29 ns
Switching Energy	37µJ (on), 25µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	17 A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	6ns/73ns
Supplier Device Package	D2PAK (TO-263)
Current - Collector Pulsed (Icm)	40 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 3A
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge	21 nC
Power - Max	70 W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Tube
IGBT Type	-