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HGTD1N120BNS9A

onsemi

Produkt-Nr.:

HGTD1N120BNS9A

Hersteller:

onsemi

Paket:

TO-252AA

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Input Type Standard
Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3 A
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Supplier Device Package TO-252AA
Current - Collector Pulsed (Icm) 6 A
Series -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge 14 nC
Power - Max 60 W
Mfr onsemi
Package Tape & Reel (TR)
IGBT Type NPT
Base Product Number HGTD1N120