HN1C03FU-B,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

HN1C03FU-B,LF

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US6

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NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

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Operating Temperature	150°C (TJ)
Frequency - Transition	30MHz
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30A
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Supplier Device Package	US6
Series	-
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	200mW
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Package	Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	350 @ 4mA, 2V
Base Product Number	HN1C03