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HN2S02FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

HN2S02FU(TE85L,F)

Paket:

US6

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package US6
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 40 V
Series -
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology Schottky
Diode Configuration 3 Independent
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 600 mV @ 100 mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100mA
Operating Temperature - Junction 125°C (Max)
Base Product Number HN2S02