HP8M51TB1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

HP8M51TB1

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8-HSOP

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HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package	8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Series	-
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3W (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	HP8M51