HS8K11TB

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

HS8K11TB

Hersteller:

Paket:

HSML3030L10

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.1nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package	HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	8-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A, 11A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	HS8K11