HS8K1TB

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

HS8K1TB

Hersteller:

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HSML3030L10

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Beschreibung:

30V NCH+NCH POWER MOSFET

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	8-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 11A (Ta)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	HS8K1