HUF76139S3

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

HUF76139S3

Hersteller:

Paket:

I2PAK (TO-262)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 800

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk