HUF76443S3ST

Fairchild Semiconductor

Produkt-Nr.:

HUF76443S3ST

Hersteller:

Paket:

D2PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 800

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	129 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	UltraFET®
Power Dissipation (Max)	260W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk