IAUC100N04S6L020ATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

IAUC100N04S6L020ATMA1

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 4895

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2744 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.04mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 32µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IAUC100