IAUC80N04S6L032ATMA1

Infineon Technologies

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PG-TDSON-8

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IAUC80N04S6L032ATMA1

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1515 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.29mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 18µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IAUC80