IDB18E120

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IDB18E120

Hersteller:

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PG-TO263-3-2

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	195 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.15 V @ 18 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	31A