IDT10S60C

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IDT10S60C

Hersteller:

Paket:

PG-TO220-2-2

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	480pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-TO220-2-2
Current - Reverse Leakage @ Vr	140 µA @ 600 V
Series	thinQ!™
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	10A (DC)