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IGOT60R070D1AUMA3

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IGOT60R070D1AUMA3

Paket:

PG-DSO-20-87

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

GANFET N-CH

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series CoolGaN™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Vgs (Max) -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Package Tape & Reel (TR)