IPA65R190C7

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPA65R190C7

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PG-TO220 Full Pack

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Datenblatt:

Beschreibung:

IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 290µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk