IPB020N10N5LFATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPB020N10N5LFATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO263-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 900

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.1V @ 270µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™-5
Power Dissipation (Max)	313W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB020