IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPC50N04S55R8ATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TDSON-8-33

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-33
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 13µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPC50N