IPD90N03S4L03ATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPD90N03S4L03ATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO252-3-11

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 45µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPD90