IPDD60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPDD60R050G7XTMA1

Hersteller:

Paket:

PG-HDSOP-10-1

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3345

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 15.9A, 10V
Supplier Device Package	PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 800µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	CoolMOS™ G7
Power Dissipation (Max)	278W (Tc)
Package / Case	10-PowerSOP Module
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPDD60