IPI023NE7N3G

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPI023NE7N3G

Hersteller:

Paket:

PG-TO262-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 5746

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Package	Bulk