IPI120N04S402AKSA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPI120N04S402AKSA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO262-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 500

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	134 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	158W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPI120