IPP100N10S305AKSA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPP100N10S305AKSA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO220-3-1

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 65

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	176 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 240µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPP100