IPS65R950C6AKMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPS65R950C6AKMA1

Hersteller:

Paket:

PG-TO251-3-11

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 150

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	37W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPS65R