IPTC012N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPTC012N08NM5ATMA1

Hersteller:

Paket:

PG-HDSOP-16-2

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	16000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	219 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	PG-HDSOP-16-2
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 275µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	OptiMOS™ 5
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Package / Case	16-PowerSOP Module
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta), 396A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPTC012N