IPW50R280CE

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPW50R280CE

Hersteller:

Paket:

PG-TO247-3-41

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	773 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 4.2A, 13V
Supplier Device Package	PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 350µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	119W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Package	Bulk