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IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IPZ40N04S58R4ATMA1

Paket:

PG-TSDSON-8-32

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 771 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 10µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IPZ40N04