IRD3CH82DB6

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRD3CH82DB6

Hersteller:

Paket:

Die

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : Bitte Anfrage

Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.

Name des Kontakts

E-Mail

Firmenname

Land

Menge

Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	355 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	Die
Current - Reverse Leakage @ Vr	3 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	Die
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.7 V @ 150 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	150A
Base Product Number	IRD3CH82