IRF60B217

International Rectifier

Produkt-Nr.:

IRF60B217

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PG-TO220-3-1

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TRENCH 40<-<100V

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	International Rectifier
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Bulk